Emballage
Tape & Reel (TR)
Tube
Type de FET
P-Channel
N-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10A (Ta)
53A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V @ 250μA
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
92 nC @ 10 V
72 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
1700 pF @ 25 V
1696 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Through Hole
Boîtier fournisseur
8-SO
TO-262
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
