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SBS813-TL-E
SBS813-TL-E
Active
Description:  30 V, 3.0 A LOW VF SCHOTTKY BARR
Fabricant:  SANYO Semiconductor
Fiche Technique:   SBS813-TL-E Fiche Technique
Histoire Prix: $1.00000
En stock: 4580
SBS813-TL-E vs SBS817-TL-E
Série
-
-
Emballage
Bulk
Tape & Reel (TR)
Statut
Active
Obsolete
Configuration de diode
2 Independent
2 Independent
Technologies
Schottky
Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
30 V
15 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
3A
2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
420 mV @ 3 A
460 mV @ 2 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
20 ns
10 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
1.4 mA @ 15 V
300 μA @ 7.5 V
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 125 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃
Type de montage
Surface Mount
Surface Mount
Boîtier
8-SMD, Flat Lead
8-SMD, Flat Lead
Boîtier fournisseur
8-VEC
8-EMH