Paramètre Technique
Type de transistor
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
4A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
400V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
500mV @ 1A, 4A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
250μA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
12 @ 2A, 5V
Température de fonctionnement
150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Boîtier fournisseur
8-DIP
