Paramètre Technique
Nombre de circuits d%27attaque
1
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
4.5V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
12A, 12A
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
-
Temps de montée / descente (typ.)
20ns, 24ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
