Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
1V, 2.6V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
60mA, 130mA
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
200ns, 100ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOP
