Paramètre Technique
Nombre de circuits d%27attaque
3
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
11.5V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.6V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
-
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
125ns, 50ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Boîtier fournisseur
28-SOP