Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
17V (Max)
Tension logique - VIL, VIH
1.5V, 3.6V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
400mA, 650mA
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
50ns, 30ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
14-SO
