Paramètre Technique
Configuration
High-Side or Low-Side
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
1.45V, 2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
2A, 2.5A
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
500 V
Temps de montée / descente (typ.)
25ns, 25ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
